- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/41 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région de circuit périphérique de régions de mémoire comprenant un transistor de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H10B 41/41
Brevets de cette classe: 190
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
42 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
31 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
25 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
24 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
15 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
13 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
9 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
6 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
6 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
6 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
2 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
2 |
| Intel NDTM US LLC | 373 |
2 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
1 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
1 |
| Besang, Inc. | 17 |
1 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
1 |
| Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation | 388 |
1 |
| Infineon Technologies LLC | 597 |
1 |
| Pedisem Co. Ltd. | 9 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |